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公開：2024-11-30

マウザーがAnalog DevicesとBournsと共同でGaN技術のeBookを公開、パワーエレクトロニクス分野の革新に向けた取り組みを解説

text: XEXEQ編集部
（記事は執筆時の情報に基づいており、現在では異なる場合があります）

記事の要約

• マウザーがGaN技術に関する新eBookを発表
• Analog DevicesとBournsの専門家による技術解説を提供
• GaNコントローラやドライバ、パワーインダクタの製品紹介

マウザーとAnalog Devices、BournsによるGaN技術のeBook公開

マウザー・エレクトロニクスは、Analog DevicesとBournsと共同でGaN技術に関する新しいeBookを2024年11月29日に公開した。このeBookでは、シリコンを上回る高効率性能を持つGaN技術がパワーエレクトロニクス分野にもたらす革新について詳しく解説されており、自動車や産業、家庭用電子機器、再生可能エネルギーなど幅広い業界への影響が期待されている。^[1]

Analog DevicesのLTC7890/1同期降圧コントローラは、最大100Vの入力電圧に対応する高性能なDC-DCスイッチング・レギュレータ・コントローラとして設計されており、保護ダイオードなどの外部部品が不要なため設計の簡素化が実現できる。また、LT8418は100VハーフブリッジGaNドライバとしてGaN FETのオン・オフ速度を調整できる独立したゲートドライバを搭載している。

BournsはGaNの高周波動作に最適化された磁気部品として、PQフラットパワーインダクタやCWP3230Aチップインダクタ、TLVR1105T TLVRインダクタを提供している。HCTSフェライト・トロイダルコアを採用したトランスは、15mm以上の沿面距離と空間距離を確保し、7.64kVの耐電圧性能で高い安全性を実現している。

GaN技術関連製品のラインナップ

GaN技術のeBookの詳細はこちら

窒化ガリウム（GaN）について

窒化ガリウム（GaN）とは、高効率・高速スイッチング・高電力密度を実現する半導体材料であり、以下のような特徴を持つ。

• シリコンを上回る高効率性能を実現
• 高速スイッチングによる電力変換の効率化
• 自動車から家電まで幅広い応用分野

GaN技術は、従来のシリコンベースの半導体と比較して優れた性能を発揮することができる革新的な材料として注目を集めている。マウザーが公開したeBookでは、この技術の応用範囲が自動車や産業機器、家庭用電子機器、再生可能エネルギーなど多岐にわたることが示されており、今後の産業界に大きな影響を与えることが期待されている。

参考サイト

1. ^ PR TIMES. 「マウザー、新たにeBookの提供を開始Analog Devices及びBournsとGaNベースのパワー・エレクトロニクスの利点を深掘り | Mouser Electronics, Inc.のプレスリリース」. https://prtimes.jp/main/html/rd/p/000000090.000136133.html, (参照 24-11-30).

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