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公開：2024-11-13

ロームが沿面距離1.3倍のSiCショットキーバリアダイオードを開発、xEVの高電圧化に対応し樹脂ポッティング不要に

text: XEXEQ編集部
（記事は執筆時の情報に基づいており、現在では異なる場合があります）

記事の要約

• ロームがSiC SBD新製品を開発し沿面距離を1.3倍に向上
• 樹脂ポッティングなしで高電圧システムに対応可能に
• 車載機器向け8機種と産業機器向け8機種をラインナップ

SiCショットキーバリアダイオードの新製品開発と電圧性能の向上

ローム株式会社は2024年9月より、独自設計のTO-263-2Lパッケージを採用したSiCショットキーバリアダイオードのサンプル出荷を開始した。センターピンを取り除いた新パッケージにより沿面距離が一般品の約1.3倍となる最小5.1mmまで伸長され、高い絶縁性能を実現している。^[1]

新製品は650Vと1200Vの2種類の耐圧をラインナップしており、xEVの400Vシステムや将来的な高電圧システムに対応することが可能だ。車載機器向けの「SCS2xxxNHR」8機種は車載信頼性規格AEC-Q101に準拠し、産業機器向けの「SCS2xxxN」8機種も2024年12月から販売開始する予定である。

製品のサンプル価格は1個あたり1,500円で、前工程はローム・アポロ筑後工場、後工程はROHM Korea Corporationで生産される。チップワンストップやコアスタッフオンラインなどのインターネット販売も開始されており、1個から購入することが可能となっている。

SiC SBDの製品仕様まとめ

製品の詳細についてはこちら

沿面放電について

沿面放電とは、導電体である端子に高電圧を印加した際に絶縁物であるパッケージの表面を伝わって放電が起こる現象のことを指す。主な特徴として以下のような点が挙げられる。

• パッケージの小型化により発生リスクが増加
• デバイスの絶縁破壊を引き起こす可能性がある
• 導通してはならないパターン間での放電が問題に

新製品ではセンターピンを取り除いた独自パッケージを採用することで、一般品比約1.3倍となる最小5.1mmの沿面距離を確保している。沿面距離を長く確保することで端子間のトラッキングを抑制し、高電圧アプリケーションにおいて樹脂ポッティングによる絶縁処理が不要となった。

SiCショットキーバリアダイオードの開発に関する考察

ロームの新製品開発は、xEVの普及に伴う高電圧化への対応という市場ニーズを的確に捉えた取り組みといえる。独自パッケージによる沿面距離の確保は、樹脂ポッティングが不要となることでコスト削減と生産性向上に大きく寄与するだろう。

今後は更なる高電圧化や小型化への要求が高まることが予想され、新たな絶縁技術の開発が求められる可能性がある。パッケージ設計の最適化や新素材の採用など、更なる技術革新が期待されるところだ。

SiCデバイスの需要は今後も拡大が見込まれ、製造工程の効率化や生産能力の拡大も重要な課題となるだろう。自社での一貫生産体制を活かした品質管理と安定供給の実現が、市場での競争力を左右する要因となる。

参考サイト

1. ^ PR TIMES. 「独自設計のパッケージで絶縁耐性を大幅に向上！xEVシステムの高電圧化にも対応したSiCショットキーバリアダイオードを開発 | ローム株式会社のプレスリリース」. https://prtimes.jp/main/html/rd/p/000000052.000062988.html, (参照 24-11-13).

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