STマイクロエレクトロニクスが第4世代SiCパワーMOSFETを発表、EVトラクション・インバータの性能向上に貢献

text: XEXEQ編集部
（記事は執筆時の情報に基づいており、現在では異なる場合があります）

PR TIMES より

記事の要約

STが第4世代SiCパワーMOSFETを発表
2025年に750V/1200V耐圧製品の量産開始
2027年までに複数のSiC技術イノベーションを計画

STマイクロエレクトロニクスが次世代EVトラクション・インバータ向けSiCパワーMOSFETを発表

STマイクロエレクトロニクスは、電気自動車（EV）パワートレインの主要コンポーネントであるトラクション･インバータに最適化された第4世代 STPOWER SiC（炭化ケイ素）パワーMOS FETを2024年9月27日に発表した。この新技術は、電力効率、電力密度、および堅牢性の大幅な向上を実現し、車載機器および産業機器市場のニーズに対応する。^[1]

新しいSiCパワーMOSFETは、750V / 1200V耐圧製品が提供される予定で、400V / 800V EVバスのトラクション･インバータの高効率・高性能化に貢献する。これにより、マス･マーケットへの普及の鍵を握る中・小型EVにもSiCのメリットをもたらし、より低価格でのEV提供を目指す自動車メーカーのニーズに応える。

STは、垂直統合型の製造戦略を通じてSiCパワー半導体の開発を加速させるため、今後3年間にわたるパワー半導体技術の進展および、複数の革新的なSiC技術の開発を並行して進めている。2027年までに、抜本的な技術革新を含む、SiCに関する複数の技術イノベーションを発表する計画だ。

第4世代SiCパワーMOSFETの特徴まとめ

	性能	応用分野	供給状況
主な特徴	低オン抵抗、高速スイッチング	EVトラクション・インバータ、産業用モータ・ドライブ	750V耐圧品は品質認定完了
メリット	高効率、小型化、軽量化	航続距離延長、コスト削減	2025年から量産開始予定
技術的進歩	従来世代比12～15%小型化	ソーラー・インバータ、データセンター電源にも適用可能	1200V耐圧品は2025年Q1に認定完了予定

SiCパワーMOSFETについて

SiCパワーMOSFETとは、炭化ケイ素（SiC）を半導体材料として使用したパワーMOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）のことを指しており、主な特徴として以下のような点が挙げられる。

高耐圧・高温動作が可能
スイッチング損失が少なく高効率
小型・軽量化に貢献

STマイクロエレクトロニクスの第4世代SiCパワーMOSFETは、これらの特徴を更に向上させ、EVのトラクション・インバータや産業用モータ・ドライブなどの応用分野で高い性能を発揮する。特に低オン抵抗と高速スイッチング特性により、電力変換効率の向上と機器の小型化を同時に実現し、EVの性能向上や産業機器の効率化に大きく貢献する技術だ。

参考サイト

^ PR TIMES. 「STマイクロエレクトロニクス、次世代EVトラクション・インバータに最適な第４世代SiCパワーMOSFETを発表 | STマイクロエレクトロニクスのプレスリリース」. https://prtimes.jp/main/html/rd/p/000001403.000001337.html, (参照 24-09-29).
Meta. https://about.meta.com/ja/

※上記コンテンツはAIで確認しておりますが、間違い等ある場合はコメントよりご連絡いただけますと幸いです。