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公開：2024-09-26

レゾナックとソイテックがSiCパワー半導体向け8インチ貼り合わせ基板の共同開発契約を締結、生産性向上とサプライチェーン多様化を目指す

text: XEXEQ編集部
（記事は執筆時の情報に基づいており、現在では異なる場合があります）

記事の要約

• レゾナックとソイテックが共同開発契約を締結
• 8インチSiC貼り合わせ基板の開発を目指す
• SiCエピウェハーの生産性向上が目的

レゾナックとソイテックのSiCパワー半導体向け基板共同開発

株式会社レゾナックは、フランスのSoitec社と8インチ炭化ケイ素（SiC）エピタキシャルウェハーの材料となる8インチSiC貼り合わせ基板の共同開発契約を2024年9月24日に締結した。この契約は、両社の技術を組み合わせることで、8インチSiCウェハーの生産性向上とSiCエピウェハービジネスのサプライチェーン多様化を目指すものだ。^[1]

パワー半導体市場は、電動車や産業機器などのパワーアプリケーションでの需要拡大が見込まれている。特にSiCは、シリコンと比較して電力変換時の損失や発熱が少なく、省エネルギー化に貢献するため急速に需要が拡大している。しかし、SiC単結晶基板の生産には高度な技術と時間を要するため、生産性の向上が課題となっていた。

レゾナックは世界最高水準の品質を誇るSiCエピウェハーを生産しており、8インチの大口径化も進めている。一方、ソイテック社はSmartSiC™技術を用いて、1枚のSiC単結晶基板から複数の高品質SiCウェハーを生産する独自技術を有している。この技術により、生産性の向上だけでなく、製造時のCO2排出量を最大70%削減できる環境面でのメリットも期待できる。

レゾナックとソイテックの共同開発の特徴まとめ

エピタキシャルウェハーについて

エピタキシャルウェハーとは、基板結晶の上に原子層レベルで結晶成長させた薄膜を持つウェハーのことを指しており、主な特徴として以下のような点が挙げられる。

• 基板結晶と同じ結晶構造を持つ薄膜が形成される
• 高純度で均一な結晶層を得ることが可能
• 半導体デバイスの性能向上に重要な役割を果たす

レゾナックのSiCエピタキシャルウェハーは、高品質なSiC単結晶基板にエピタキシャル層を成長させて製造される。この技術により、パワー半導体デバイスの性能向上と信頼性の確保が可能となり、電力変換効率の改善や省エネルギー化に大きく貢献する。特に8インチ大口径化は、生産効率の向上とコスト削減につながる重要な技術開発となっている。

SiCパワー半導体向け基板共同開発に関する考察

レゾナックとソイテックの共同開発は、SiCパワー半導体市場の急速な成長に対応するための重要な取り組みだ。両社の技術を組み合わせることで、高品質なSiCウェハーの大量生産が可能となり、供給不足の解消や製造コストの低減が期待できる。これにより、電動車や産業機器向けのパワー半導体の普及が加速し、社会全体の省エネルギー化に大きく貢献する可能性が高い。

しかし、新技術の実用化には多くの課題が存在する。特に、8インチウェハーの均一性や欠陥密度の制御、量産時の歩留まり向上などが重要な課題となるだろう。これらの課題を克服するためには、両社の継続的な技術開発と生産プロセスの最適化が不可欠だ。また、市場の需要変動に柔軟に対応できる生産体制の構築も重要な課題となる。

今後、SiCパワー半導体の応用範囲はさらに拡大すると予想される。特に、再生可能エネルギーの普及に伴う電力変換システムや、データセンターなどの大規模施設向けの高効率電源など、新たな市場への展開が期待される。レゾナックとソイテックには、こうした市場ニーズを先取りした技術開発と、グローバルなサプライチェーンの構築を通じて、SiCパワー半導体産業の発展をリードすることが期待されている。

参考サイト

1. ^ PR TIMES. 「ソイテック社とSiCパワー半導体向け貼り合わせ基板の共同開発契約締結 | 株式会社レゾナック・ホールディングスのプレスリリース」. https://prtimes.jp/main/html/rd/p/000000120.000102176.html, (参照 24-09-26).

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