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公開：2024-11-01

キオクシアが業界初のQLC採用UFS 4.0フラッシュメモリを量産開始、モバイルデバイスの大容量化が加速へ

text: XEXEQ編集部
（記事は執筆時の情報に基づいており、現在では異なる場合があります）

記事の要約

• キオクシアがQLC技術採用のUFS 4.0フラッシュメモリを量産開始
• 従来のTLC UFSと比べてビット密度が向上し大容量化を実現
• スマートフォンやタブレットなどのモバイルデバイスに最適

キオクシアが業界初のQLC UFS 4.0フラッシュメモリを発表

キオクシアは2024年10月30日、業界で初めてQLC技術を採用したUFS 4.0組み込み式フラッシュメモリ製品の量産を開始した。512GB QLC UFSは最大4,200MB/sのシーケンシャルリードと最大3,200MB/sのシーケンシャルライトを実現し、高速なデータ転送が可能になっている。^[1]

新製品は3次元フラッシュメモリBiCS FLASHとコントローラーをJEDEC規格のパッケージに収め、MIPI M-PHY 5.0とUniPro 2.0に対応することで高速なインターフェース速度を実現した。理論上1レーンあたり最大23.2Gbpsのデータ転送速度を達成し、デバイスあたり最大46.4Gbpsまでの高速通信が可能である。

High Speed Link Startup Sequenceをサポートすることで、デバイスとホストのLink Startupにかかる時間が従来比で約70%短縮された。セキュリティ機能も強化され、Advanced RPMBやRPMB Purgeによってセキュリティデータの高速な読み書きと消去が可能になっている。

QLC UFS 4.0フラッシュメモリの主な仕様

QLCテクノロジーについて

QLCとはQuadruple-level cellの略で、1つのメモリセルに4ビットのデータを格納できる技術のことを指す。主な特徴として以下のような点が挙げられる。

• 1セルあたり4ビットの情報を保存可能
• 従来のTLCと比較して高密度化を実現
• 大容量化とコストパフォーマンスの向上に貢献

QLC技術はフラッシュメモリの大容量化に重要な役割を果たし、データストレージの効率性を向上させる革新的な技術である。キオクシアのQLC UFSは従来のTLC UFSと比較してビット密度が高く、スマートフォンやタブレットなどの大容量モバイルデバイスに最適な選択肢となっている。

参考サイト

1. ^ KIOXIA - Japan. 「業界初のQLC技術を採用したUFS4.0フラッシュメモリ製品の量産を開始 | KIOXIA - Japan (日本語)」. https://www.kioxia.com/ja-jp/business/news/2024/20241030-1.html, (参照 24-11-01).

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