経済

ECONOMY

公開：2025-05-29

熊本大学など、室温での半導体pn接合スピン伝導観測に成功、次世代デバイス開発へ期待

text: XEXEQ編集部

（記事は執筆時の情報に基づいており、現在では異なる場合があります）

室温での半導体pn接合を介したスピン伝導の初観測

熊本大学、大阪大学、東京都市大学などの共同研究グループは、2025年5月23日、半導体pn接合を有するデバイス構造において、世界で初めて室温でのスピン伝導を観測したと発表した。これは、ゲルマニウム(Ge)と強磁性ホイスラー合金を高品質に直接接合した構造にpn接合を取り入れ、バンド間トンネル（BTBT）伝導を利用した成果である。

この研究成果は、低消費電力演算と低消費電力不揮発メモリ機能を併せ持つ「スピンTFET」の実現に向けた重要な一歩となる。AIの普及によるデータセンターの消費電力増大問題の解決に貢献する次世代スピントロニクスデバイス開発に期待が寄せられるのだ。

本研究成果は、米国物理学会の学術論文誌「Physical Review Applied」に掲載された。詳細はプレスリリースを参照してほしい。 熊本大学プレスリリース

参考サイト

1. ^ PR TIMES. 「室温で半導体pn接合を介したスピン伝導を初観測！ | 国立大学法人熊本大学のプレスリリース」. https://prtimes.jp/main/html/rd/p/000000257.000124365.html, (参照 25-05-29).
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