AI

エーアイ

公開：2025-03-03

STマイクロエレクトロニクスが次世代光インターコネクト技術を発表、データセンターの高性能化とAI処理の効率向上に貢献

text: XEXEQ編集部
（記事は執筆時の情報に基づいており、現在では異なる場合があります）

記事の要約

• STがデータセンター向け次世代光インターコネクト技術を発表
• 新シリコンフォトニクスとBiCMOS技術で800Gb/s・1.6Tb/s実現へ
• 2025年後半から量産開始予定で電力効率向上に貢献

STの次世代光インターコネクト技術がデータセンターの性能向上を実現

STマイクロエレクトロニクスは、データセンターとAIクラスタ向けの次世代光インターコネクト技術を2025年2月28日に発表した。新しいシリコンフォトニクス技術と次世代BiCMOS技術の組み合わせにより、複数の複雑な部品を1チップに統合し、ハイパースケーラと大手光モジュールメーカーの課題解決に貢献することが可能になる。^[1]

データセンターのインターコネクトの中核となる光トランシーバは、数千から数十万もの規模で導入され、光信号と電気信号の相互変換によってGPU、スイッチ、ストレージ間のデータフローを実現している。新技術の導入により、AIコンピューティング需要の急増に対応した超高速・低消費電力の光通信が実現可能になるだろう。

両技術はヨーロッパの300mm製造プロセスで生産され、2025年後半から800Gb/sおよび1.6Tb/s光モジュール向けの量産が開始される予定だ。STはこの技術をプラガブルオプティクスやオプティカルI/Oに展開し、データセンターとAIクラスタ市場におけるシリコンフォトニクスとBiCMOSウェハの主要サプライヤを目指している。

次世代光インターコネクト技術の特徴まとめ

シリコンフォトニクスについて

シリコンフォトニクスとは、光信号処理をシリコン基板上で実現する技術であり、主な特徴として以下のような点が挙げられる。

• シリコン基板上での光回路集積が可能
• 電気信号と光信号の高効率な変換を実現
• 大規模集積による低コスト化と小型化を実現

シリコンフォトニクス技術は、データセンターにおける光トランシーバの中核技術として注目を集めている。LightCounting社の予測によると、シリコンフォトニクスモジュレータをベースとしたトランシーバの市場シェアは2024年の30%から2030年には60%まで成長する見込みだ。

参考サイト

1. ^ PR TIMES. 「STマイクロエレクトロニクス、データセンター/AIクラスタ向けにクラウド用の高性能な光インターコネクト技術を発表 | STマイクロエレクトロニクスのプレスリリース」. https://prtimes.jp/main/html/rd/p/000001436.000001337.html, (参照 25-03-03).

※上記コンテンツはAIで確認しておりますが、間違い等ある場合はコメントよりご連絡いただけますと幸いです。

「AI」に関するコラム一覧「AI」に関するニュース一覧