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公開：2025-03-11

CGDが100kW超EVインバータ向けCombo ICeGaN技術を発表、低コストと高効率の両立で市場開拓へ

text: XEXEQ編集部
（記事は執筆時の情報に基づいており、現在では異なる場合があります）

記事の要約

• CGDが100kW超EVインバータ市場向けGaN技術を発表
• ICeGaN HEMTとIGBTの組み合わせで低コストと高効率を実現
• 年末にCombo ICeGaNの実働デモを予定

CGDが革新的なGaNとIGBT組み合わせ技術を発表

Cambridge GaN Devices(CGD)は2025年3月11日、100億ドル以上の市場規模を持つ100kW超のEVパワートレイン市場向けにICeGaN窒化ガリウムソリューションを発表した。Combo ICeGaNと呼ばれるこの技術は、スマートICeGaN HEMT ICとIGBTを同一モジュールに組み合わせることで、高価なSiCに代わる低コストで高効率なソリューションを実現している。^[1]

CGD独自のCombo ICeGaN技術は、ICeGaNデバイスとIGBTデバイスを0～20Vの駆動電圧範囲で並列動作させることが可能であり、低負荷時にはICeGaNが、高負荷時やサージ状態ではIGBTが効率的に動作する仕組みとなっている。温度変化に応じて両デバイスが相互に補完し合うことで、優れた性能と信頼性を実現することが可能だ。

すでにTier 1の自動車EVメーカーやサプライチェーンパートナーと協力して市場展開を進めており、2025年末にはCombo ICeGaNの実働デモを実施する予定となっている。このソリューションにより、EVの充電時間短縮と航続距離延長という業界の重要課題の解決に大きく貢献することが期待されている。

Combo ICeGaNの特徴まとめ

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窒化ガリウム(GaN)について

窒化ガリウム(GaN)とは、パワーエレクトロニクス分野で注目される次世代半導体材料のことを指しており、主な特徴として以下のような点が挙げられる。

• シリコンと比較して高速スイッチングが可能
• 低いオン抵抗で高効率動作を実現
• 高温動作や高耐圧特性に優れる

GaNは従来のシリコンデバイスと比較して優れた電気特性を持ち、特にパワーデバイスの性能向上に大きく貢献する半導体材料である。EVのパワートレインシステムにおいては、GaNの採用により充電時間の短縮や航続距離の延長といった重要な課題の解決に寄与することが期待されている。

参考サイト

1. ^ PR TIMES. 「CGD、100億ドル以上のEVインバータ市場の100KW超アプリケーションに対応する画期的なGAN技術を発表 | Cambridge GaN Devices Ltd.のプレスリリース」. https://prtimes.jp/main/html/rd/p/000000012.000124617.html, (参照 25-03-11).

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