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公開：2025-05-22

キオクシア、エンタープライズ向けNVMe SSD「KIOXIA CM9シリーズ」試作品発表、性能と電力効率の大幅向上

text: XEXEQ編集部
（記事は執筆時の情報に基づいており、現在では異なる場合があります）

記事の要約

• キオクシアがエンタープライズ向けNVMe SSD「KIOXIA CM9シリーズ」試作品を発表
• 第8世代BiCS FLASH TLCフラッシュメモリとCBA技術を採用し性能向上
• Dell Technologies Worldで参考展示

キオクシア、エンタープライズ向けNVMe SSD「KIOXIA CM9シリーズ」試作品を発表

キオクシア株式会社は、第8世代BiCS FLASH 3次元TLCフラッシュメモリを搭載したエンタープライズSSD「KIOXIA CM9シリーズ」の試作品を、5月19日から22日までラスベガスで開催されるDell Technologies Worldで参考展示すると発表した。このSSDは、AI、機械学習、ハイパフォーマンスコンピューティングなどのワークロードに対応する次世代データセンター向けに開発されているのだ。

KIOXIA CM9シリーズは、CMOS directly Bonded to Array（CBA）技術を採用することで、フラッシュメモリの速度向上、高密度化、消費電力の低減を実現している。前世代機であるKIOXIA CM7シリーズと比較して、ランダムライトで約65%、ランダムリードで約55%、シーケンシャルライトで約95%の性能向上を実現した点が大きな特徴だ。消費電力効率も大幅に向上しており、シーケンシャルリードで約55%、シーケンシャルライトで約75%の効率改善を達成している。

KIOXIA CM9シリーズは、PCIeR 5.0、NVMe 2.0、NVMe-MI 1.2c、およびOCP Datacenter NVMe SSD 2.5に準拠している。2.5インチおよびE3.S SSDフォームファクターに対応し、デュアルポートにも対応する。リードインテンシブ（1 DWPD）およびミックスユース（3 DWPD）の耐久性を備えている点が挙げられる。2.5インチ容量は最大61.44 TB、E3.S容量は最大30.72 TBだ。

KIOXIA CM9シリーズの仕様

CBA技術について

CBA技術とは、CMOS回路とメモリセルアレイを別々のウエハーで製造し、メモリセルアレイ側のウエハーを反転させて貼り合わせる技術である。この技術により、メモリセルの制御を担うCMOS回路とメモリセルアレイ間の距離を短縮できるのだ。

• データ転送速度の向上
• メモリの高密度化
• 消費電力の低減

これにより、SSD全体の性能向上に大きく貢献する。特に、高性能化と低消費電力化が求められるエンタープライズ環境においては、大きなメリットとなるだろう。

KIOXIA CM9シリーズに関する考察

KIOXIA CM9シリーズは、CBA技術と第8世代BiCS FLASHメモリの採用により、前世代品と比較して大幅な性能向上と消費電力効率の改善を実現している。これは、データセンターにおける運用コスト削減に大きく貢献するだろう。しかし、高性能化に伴い、価格が高騰する可能性も懸念される。

今後、より大容量化、高性能化が進むことが予想される。同時に、データセンターのニーズに対応するため、様々なインターフェースやフォームファクターへの対応も求められるだろう。そのため、キオクシアには、市場の動向を的確に捉え、顧客のニーズに応える製品開発を継続していくことが重要だ。

さらに、データセンターにおける信頼性向上のため、エラー訂正機能の強化や、データの堅牢性を高める技術の開発も期待される。これらの技術革新によって、KIOXIA CM9シリーズは、より多くの企業に採用され、データセンターの進化を加速させるだろう。

参考サイト

1. ^ キオクシア. 「第8世代BiCS FLASH? TLCフラッシュメモリ技術を採用したエンタープライズ向けNVMe? SSDを発表 | KIOXIA - Japan (日本語)」. https://www.kioxia.com/ja-jp/business/news/2025/20250516-1.html, (参照 25-05-22).
2499
2. Dell. https://www.dell.com/ja-jp

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