ハードウェア

HARDWARE

公開：2025-01-15

三菱電機が産業用LV100タイプ 1.2kV IGBTモジュールを発表、電力損失15%削減と定格電流1800Aを実現し再生可能エネルギー分野に貢献

text: XEXEQ編集部
（記事は執筆時の情報に基づいており、現在では異なる場合があります）

記事の要約

• 三菱電機が産業用LV100タイプ 1.2kV IGBTモジュールを発表
• 第8世代IGBTの搭載で電力損失を約15%削減
• 定格電流1800Aを実現し高出力化に貢献

三菱電機の産業用LV100タイプ 1.2kV IGBTモジュールが再生可能エネルギー分野に革新

三菱電機株式会社は太陽光発電などの再生可能エネルギー用電源システム向けパワー半導体モジュールの新製品として、産業用LV100タイプ 1.2kV IGBTモジュールを2025年2月15日からサンプル提供することを発表した。新開発の第8世代IGBTを搭載することで従来製品と比較して電力損失を約15%削減し、太陽光発電システムや蓄電池等の電源システムのインバーターの低消費電力化を実現している。^[1]

独自のSDA構造とCPL構造を採用した第8世代IGBTによって、高速スイッチング動作時のノイズ発生要因となるdv/dtを抑制し、スイッチング速度の向上を可能にした。IGBTとダイオードのチップ配置を最適化することで従来製品と同一パッケージでありながら定格電流1800Aを実現し、インバーターの高出力化に大きく貢献している。

産業用LV100タイプパッケージの採用により端子配列が最適化され、パワー半導体の並列接続が容易になった。外形サイズと端子位置が同一の産業用LV100タイプの従来製品との置き換えが簡単になり、インバーターの開発期間短縮にも寄与する仕様となっている。

産業用LV100タイプ 1.2kV IGBTモジュールの仕様まとめ

パワー半導体デバイスの詳細はこちら

IGBTについて

IGBTとは、Insulated Gate Bipolar Transistorの略称で、高耐圧絶縁ゲート型バイポーラトランジスタのことを指す。主な特徴として以下のような点が挙げられる。

• 高耐圧と大電流制御が可能な半導体素子
• スイッチング動作に優れた性能を発揮
• 電力変換機器の効率向上に貢献

IGBTは1990年に三菱電機がパワー半導体モジュールに搭載して以来、民生分野から産業分野まで幅広い用途で採用されている。第8世代IGBTでは独自のSDA構造やCPL構造を採用することで、従来製品と比較して約15%の電力損失削減を実現し、再生可能エネルギー分野での活用が期待されている。

参考サイト

1. ^ PR TIMES. 「パワー半導体「産業用LV100タイプ 1.2kV IGBTモジュール」サンプル提供開始 | 三菱電機株式会社のプレスリリース」. https://prtimes.jp/main/html/rd/p/000000212.000120285.html, (参照 25-01-15).

※上記コンテンツはAIで確認しておりますが、間違い等ある場合はコメントよりご連絡いただけますと幸いです。

「ハードウェア」に関するコラム一覧「ハードウェア」に関するニュース一覧