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公開：2024-12-12

オンセミがQorvo社からSiC JFET技術を買収、AIデータセンター向けパワー製品ポートフォリオの強化へ

text: XEXEQ編集部
（記事は執筆時の情報に基づいており、現在では異なる場合があります）

記事の要約

• オンセミがQorvo社からSiC JFET技術を1億1500万ドルで買収
• AIデータセンター向け電源ユニットの効率向上に貢献
• 2025年第1四半期に買収完了予定

オンセミによるQorvo社のSiC JFET技術買収

オンセミは2024年12月11日、Qorvo社からUnited Silicon Carbideを含むSiC JFET技術の事業を1億1500万米ドルで買収する契約を締結した。この買収によってEliteSiCパワー製品ポートフォリオが補完され、AIデータセンター向け電源ユニットのAC-DCステージでの高いエネルギー効率と電力密度に対するニーズに応えることが可能になった。^[1]

SiC JFETは他の技術と比較してチップ面積当たりのオン抵抗が最も小さく、使用面積は他の技術の半分以下という特徴を持っている。また一般的な市販のドライバを使用できることから、より迅速な開発と消費エネルギーの低減、システムコストの削減を実現することが可能だ。

この買収によってオンセミの市場機会は5年以内に13億ドル拡大する見込みとなっている。買収は慣習的な成立条件を満たした後、2025年第1四半期に完了する予定となっており、EVバッテリディスコネクトやSSCBなどの新しい市場への取り組みが加速されるだろう。

オンセミによるSiC JFET技術買収の詳細まとめ

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SiC JFETについて

SiC JFETとはシリコンカーバイド接合型電界効果トランジスタの略称で、半導体デバイスの一種である。主な特徴として以下のような点が挙げられる。

• チップ面積当たりの最小オン抵抗を実現
• 他の技術と比較して半分以下の使用面積で動作可能
• 一般的な市販ドライバとの互換性を確保

SiC JFETは高いエネルギー効率と電力密度を実現する次世代パワーデバイスとして注目されている。AIデータセンターの電源ユニットやEVバッテリディスコネクト、ソリッドステートサーキットブレーカーなど、高効率な電力変換が求められる分野での活用が期待されている。

参考サイト

1. ^ PR TIMES. 「オンセミ、シリコンカーバイドJFET技術の買収でAIデータセンター向けパワー製品ポートフォリオを強化 | オン・セミコンダクター株式会社のプレスリリース」. https://prtimes.jp/main/html/rd/p/000000319.000035474.html, (参照 24-12-12).

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