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ヘッドスプリングがパワー半導体向け信頼性評価装置の提供を開始、SiCデバイスの信頼性向上と市場成長を支援

text: XEXEQ編集部
(記事は執筆時の情報に基づいており、現在では異なる場合があります)

ヘッドスプリングがパワー半導体向け信頼性評価装置の提供を開始、SiCデバイスの信頼性向上と市場成長を支援

PR TIMES より


記事の要約

  • ヘッドスプリングがパワー半導体向け信頼性評価装置を提供開始
  • SiCパワー半導体市場の急成長に対応した評価装置を展開
  • 包括的なユーザーサポートとワンストップ評価請負サービスを提供

パワー半導体向け信頼性評価装置の提供開始でSiC市場の成長を支援

ヘッドスプリング株式会社は、パワーエレクトロニクス分野の先端技術をベースに、高効率な電力変換を可能にするSiCパワー半導体市場の急成長と信頼性向上のニーズに応えるため、パワー半導体向け信頼性評価装置を2025年1月16日に提供開始した。今後10年間で市場規模が約24倍に成長すると予測されるSiCパワー半導体市場において、自動車用IGBTやSiCデバイスの信頼性評価に必要な各種装置の提供を開始している。[1]

半導体計測検査装置市場は2024年時点で約1兆円規模とされており、2029年までに年平均成長率5%以上の成長が見込まれている状況において、パワー半導体の需要増加に伴い自動車をはじめ多様な製品への採用が進んでいる。パワー半導体向け信頼性評価装置は、AEC-Q101やAQG324、JESD22などの信頼性規格に準拠した試験が可能であり、特に車載用途で求められる厳しい環境下での評価に最適な装置となっている。

専門知識を持つ技術者による包括的なユーザーサポートとして、試験対象デバイスに合わせた治具の設計・提供や水冷・油冷機構などのカスタマイズ対応を行っている。信頼性評価装置を保有していない企業向けに、単一の装置での評価試験から複数項目の試験実施、さらには提携機関と連携した物理解析を含めた信頼性評価の全工程を一括して提供するワンストップサービスを実現している。

パワー半導体向け信頼性評価装置の試験項目まとめ

試験項目 詳細
基本試験 高温逆バイアス試験、高温順バイアス試験
動的試験 動的逆バイアス試験、動的高温順バイアス試験
環境試験 高温高湿逆バイアス試験、動的高温高湿逆バイアス試験
耐久試験 パワーサイクル試験、高温ゲートバイアス試験
ヘッドスプリング株式会社の詳細はこちら

SiCパワー半導体について

SiCパワー半導体とは、シリコンカーバイドを材料として使用した半導体デバイスのことを指しており、主な特徴として以下のような点が挙げられる。

  • 高効率な電力変換が可能な次世代パワーデバイス
  • 電気自動車や再生可能エネルギー分野での活用が拡大
  • グリーン投資の増加を背景に市場規模の急成長が予測

SiCパワー半導体は、高効率な電力変換を実現する革新的なデバイスとして自動車産業や再生可能エネルギー分野で注目を集めている。ヘッドスプリングが提供を開始したパワー半導体向け信頼性評価装置は、このSiCパワー半導体の信頼性向上に貢献し、市場の成長を支援する重要な役割を担っている。

参考サイト

  1. ^ PR TIMES. 「半導体の未来を支える先端技術、パワー半導体向け信頼性評価装置を提供開始 | ヘッドスプリング株式会社のプレスリリース」. https://prtimes.jp/main/html/rd/p/000000002.000143702.html, (参照 25-01-17).

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