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公開：2025-04-12

STマイクロエレクトロニクスとInnoscienceがGaN技術で提携、AIデータセンターや再生可能エネルギー分野での革新を加速

text: XEXEQ編集部
（記事は執筆時の情報に基づいており、現在では異なる場合があります）

記事の要約

• STとInnoscienceがGaN技術の開発・製造で契約締結
• 両社の製造拠点を相互活用しサプライチェーン強化
• AIデータセンターや再生可能エネルギー分野に注力

STとInnoscienceのGaN技術開発・製造提携による半導体業界の革新

STマイクロエレクトロニクスとInnoscienceは2025年4月10日、GaN技術の開発および製造に関する契約を締結したことを発表した。この契約により、InnoscienceはSTのヨーロッパの製造拠点でGaNウェハを生産し、STは中国のInnoscience製造拠点を活用することが可能になる。^[1]

両社は共同開発イニシアティブを通じて、コンスーマ機器やデータセンター、車載用および産業用電源システムに向けたGaNパワー技術を発展させていく。サプライチェーンの柔軟性とレジリエンスを高めることで、幅広い応用機器における顧客ニーズへの対応を強化する方針だ。

GaNパワー半導体の基本的な材料特性を活用することで、電力変換やモーション制御、アクチュエーションにおいて新たな基準のシステム性能を実現する。高効率化と小型・軽量化によって総ソリューションコストを削減し、カーボンフットプリントの低減にも貢献することが期待されている。

GaN技術開発・製造提携の詳細

GaNパワー半導体について

GaNパワー半導体とは、窒化ガリウムを用いた次世代パワーデバイスのことを指しており、主な特徴として以下のような点が挙げられる。

• 高効率な電力変換と優れたシステム性能を実現
• 小型化・軽量化による設計の自由度向上
• カーボンフットプリント削減に貢献する環境性能

GaNパワー半導体は特にコンスーマ機器やデータセンター、産業用電源、ソーラーインバータでの採用が進んでいる。次世代EVパワートレインの設計においても、小型・軽量化というメリットを活かした積極的な活用が期待されており、今後さらなる市場拡大が見込まれる分野となっている。

参考サイト

1. ^ PR TIMES. 「STマイクロエレクトロニクスとInnoscience、GaN技術の開発・製造に関する合意を発表 | STマイクロエレクトロニクスのプレスリリース」. https://prtimes.jp/main/html/rd/p/000001449.000001337.html, (参照 25-04-12).
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