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公開：2025-03-20

オンセミがEliteSiC SPM31インテリジェントパワーモジュールを発表、エネルギー効率と電力密度の向上を実現

text: XEXEQ編集部
（記事は執筆時の情報に基づいており、現在では異なる場合があります）

記事の要約

• オンセミがSiCベースのEliteSiC SPM31 IPMを発表
• エネルギー消費量と総システムコストを大幅に削減
• AIデータセンターなどの三相インバータードライブに最適

オンセミがEliteSiC SPM31 IPMを発表、高効率化と小型化を実現

オンセミは2025年3月19日、1200VシリコンカーバイドMOSFETベースのEliteSiC SPM31インテリジェントパワーモジュールを発表した。Field Stop 7 IGBT技術と比較して最小クラスのサイズで最高のエネルギー効率と電力密度を達成し、市場の他の主要ソリューションよりも低い総システムコストを実現している。^[1]

EliteSiC SPM31 IPMは40Aから70Aまでの複数の電流定格を提供し、15Aから35Aまでの低電流をカバーする既存のIGBT SPM31 IPMポートフォリオを補完することで、業界最大規模のスケーラブルな統合パワーモジュールソリューションを小型パッケージで提供することが可能になった。

2023年には住宅および商業ビルの運営が米国の最終エネルギー消費量の27.6%を占めており、電化およびAIの採用が進むにつれて特にAIデータセンターの建設増加によるエネルギー需要の上昇が予測される中、エネルギー消費量の削減が重要な課題となっている。

EliteSiC SPM31 IPMの機能まとめ

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シリコンカーバイド（SiC）について

シリコンカーバイド（SiC）とは、シリコンと炭素の化合物である半導体材料のことを指しており、主な特徴として以下のような点が挙げられる。

• 高温動作が可能で熱管理が容易
• 高速スイッチングによる電力損失の低減
• 高耐圧・大電流に対応可能な優れた物性

EliteSiC SPM31 IPMでは、このSiC技術を活用することでエネルギー効率を大幅に向上させており、具体的には70%の負荷で500Wの電力損失が発生する従来のIGBTパワー統合モジュールと比較して、ECファン1台あたりの年間エネルギー消費量とコストを52%削減することが可能となっている。

参考サイト

1. ^ PR TIMES. 「オンセミ、エネルギー消費量と総システムコストを削減するSiCベースのインテリジェントパワーモジュールを発表 | オン・セミコンダクター株式会社のプレスリリース」. https://prtimes.jp/main/html/rd/p/000000328.000035474.html, (参照 25-03-20).
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