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公開：2025-03-25

SK hynixが世界初の12層HBM4サンプルを出荷、2TB/s以上の転送速度と36GBの大容量を実現

text: XEXEQ編集部
（記事は執筆時の情報に基づいており、現在では異なる場合があります）

記事の要約

• SK hynixが世界初の12層HBM4サンプルを出荷開始
• 2TB/sの転送速度と36GBの容量を実現
• Advanced MR-MUFプロセスを採用し安定性を向上

SK hynixが世界初となる12層HBM4サンプルを出荷

SK hynixは2025年3月19日、世界初となる12層のHBM4サンプルを主要顧客向けに出荷を開始したと発表した。AI向けの超高性能DRAMとして開発されたHBM4は、SK hynixの技術力と生産経験を活かして予定より早期にサンプル出荷が実現している。^[1]

SK hynixの新製品は1つのパッケージで2TB/s以上の帯域幅を業界で初めて実現し、フルHD動画約400本分のデータを1秒で処理可能な性能を備えている。従来のHBM3Eと比較して60%以上の高速化を達成しており、AI処理性能の大幅な向上が期待できるだろう。

また、Advanced MR-MUFプロセスを採用することで、12層HBM製品として最大となる36GBの容量を実現した。チップの反りを防ぎながら放熱性を改善することで、製品の安定性を最大限に高めている。

HBM4の主要スペック

HBM4とは

HBM4は高帯域幅メモリの第4世代規格であり、AI処理向けに特化した超高性能DRAMの最新技術である。主な特徴として以下のような点が挙げられる。

• 3次元積層技術による高密度実装
• 広帯域幅による超高速データ転送
• 省電力設計と高い放熱効率

SK hynixは2022年にHBM3の量産を開始し、2024年には8層と12層のHBM3Eの量産も実現している。HBM4は前世代のHBM3Eと比較して60%以上の性能向上を達成しており、AIワークロードの処理能力を大幅に向上させることが可能だ。

HBM4に関する考察

SK hynixが世界に先駆けてHBM4サンプルの出荷を開始したことは、AI時代における半導体技術の進化を象徴する重要な出来事である。2TB/s以上の帯域幅と36GBの大容量を実現したことで、より複雑なAIモデルの高速処理が可能になるだろう。

今後の課題として、量産時の歩留まり向上や製造コストの最適化が挙げられる。12層という高度な積層技術を安定的に量産するためには、製造プロセスのさらなる改善が必要になってくるはずだ。Advanced MR-MUFプロセスの成熟度を高めることが、量産化成功の鍵を握っている。

AIの発展に伴い、より高性能なメモリへの需要は今後も増加し続けると予想される。SK hynixには2025年下半期に予定している量産開始に向けて、品質と供給の安定性を確保することが求められるだろう。

参考サイト

1. ^ SK hynix Newsroom. 「SK hynix Ships World's First 12-Layer HBM4 Samples」. https://news.skhynix.com/sk-hynix-ships-world-first-12-layer-hbm4-samples-to-customers/, (参照 25-03-25).
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