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STマイクロエレクトロニクスとQuoblyが量子プロセッサ製造で協力、FD-SOI技術を活用し2027年までの商品化を目指す

text: XEXEQ編集部
(記事は執筆時の情報に基づいており、現在では異なる場合があります)

STマイクロエレクトロニクスとQuoblyが量子プロセッサ製造で協力、FD-SOI技術を活用し2027年までの商品化を目指す

PR TIMES より


記事の要約

  • STとQuoblyが量子プロセッサ製造で戦略的協力を発表
  • 28nm FD-SOIプロセスで大規模量子コンピューティングを実現へ
  • 2027年までに第1世代の商品化を目指す

STとQuoblyによる量子プロセッサ製造の戦略的協力

STマイクロエレクトロニクスとQuoblyは、量子プロセッサ・ユニット(QPU)の量産化に向けた革新的な協力を2024年12月24日に発表した。STの28nm FD-SOI商用半導体量産プロセスを活用することで、コスト競争力のある大規模量子コンピューティング・ソリューションの実現を目指すことになった。[1]

両社は協力の第1段階として、STの28nm FD-SOIプロセスをQuoblyの要求仕様に適合させ、10万物理量子ビットを超えるスケーラビリティを証明する100量子ビットの量子マシンの開発に着手する。STは垂直統合型半導体メーカー・モデルを活用し、FD-SOIを使用した協調設計から300mmウェハ工場での量産までの能力を提供することになる。

Quoblyは2031年までに100万量子ビットの壁を突破することを目標に掲げており、製薬や金融、材料科学、気候や流体力学のシミュレーションを含む複雑なシステム・モデリングなど幅広い応用分野での活用を見据えている。両社のFD-SOIに関する専門性を組み合わせることで、研究開発コストを低減しながら市場要求に応える量子コンピューティング・プロセッサの実現を目指している。

量子プロセッサ開発の目標まとめ

項目 詳細
発表日 2024年12月24日
商品化目標 2027年までに第1世代
技術基盤 28nm FD-SOI商用半導体量産プロセス
開発目標 10万物理量子ビット超のスケーラビリティ
長期目標 2031年までに100万量子ビット突破
応用分野 製薬、金融、材料科学、気候・流体力学シミュレーション

FD-SOI技術について

FD-SOI(Fully Depleted Silicon on Insulator)とは、シリコン基板上に絶縁層を形成し、その上に完全空乏化された極薄のシリコン層を配置する半導体製造技術のことを指す。主な特徴として、以下のような点が挙げられる。

  • 低消費電力での高性能動作が可能
  • 製造プロセスが比較的シンプルで量産性に優れる
  • 車載/産業/コンスーマ向けに実績のある技術

STマイクロエレクトロニクスはFD-SOI技術を長年にわたり開発・商業化してきた実績を持つ半導体メーカーである。この技術は量子プロセッサの製造において、高い性能と量産性を両立させる重要な要素として期待されており、Quoblyとの協力によって量子コンピューティングの実用化を加速することが可能になる。

参考サイト

  1. ^ PR TIMES. 「QuoblyとSTマイクロエレクトロニクス、大規模量子コンピューティング・ソリューションの実現に向け量子プロセッサの製造を加速する戦略的協力を発表 | STマイクロエレクトロニクスのプレスリリース」. https://prtimes.jp/main/html/rd/p/000001425.000001337.html, (参照 24-12-26).

※上記コンテンツはAIで確認しておりますが、間違い等ある場合はコメントよりご連絡いただけますと幸いです。

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